Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W INFINEON TECHNOLOGIES
Toote kood: IMW120R014M1HXKSA1
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IMW120R014M1HXKSA1
Supplier's product code
IMW120R014M1HXKSA1
Product ID
U-2891186
Case
TO247
Drain current
89.3A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate-source voltage
-7...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
27mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
227W
Pulsed drain current
267.9A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
