Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 80A; 208W LUGUANG ELECTRONIC
Tootekood: LGE3M80120B
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 80A; 208W LUGUANG ELECTRONIC
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 28A; Idm: 80A; 208W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Supplier's product code
LGE3M80120B
Product ID
U-3869673
Case
TO247-3
Drain current
28A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
76nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
0.129Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
LGE3M80120B
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
