Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W ONSEMI
Toote kood: NTH4L080N120SC1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-04 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 10 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W ONSEMI
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
NTH4L080N120SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTH4L080N120SC1
Product ID
U-1922462
Case
TO247-4
Drain current
21A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
28W
Pulsed drain current
125A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
