Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W LUGUANG ELECTRONIC
Tootekood: LGE3M160120E
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W LUGUANG ELECTRONIC
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
LGE3M160120E
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M160120E
Product ID
U-3846310
Case
D2PAK
Drain current
11A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
42nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
SMD
On-state resistance
0.285Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
127W
Pulsed drain current
38A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
