Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W IXYS
Toote kood: IXTA1R4N100P
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IXTA1R4N100P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTA1R4N100P
Product ID
U-221364
Case
TO263
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
1kV
Features of semiconductor devices
standard power mosfet
Gate charge
17.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
11.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
63W
Pulsed drain current
3A
Reverse recovery time
750ns
Technology
Polar™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
