💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? Kirjutage [email protected] aadressile
💼 Kas soovite saada meie B2B kliendiks? [email protected]
LEMONA

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W IXYS

Toote kood: IXTP1R4N100P
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W IXYS

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-221679
Bränd
NomNr
IXTP1R4N100P

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
IXTP1R4N100P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTP1R4N100P
Product ID
U-221679
Case
TO220AB
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
1kV
Features of semiconductor devices
standard power mosfet
Gate charge
17.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
11.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
63W
Pulsed drain current
3A
Reverse recovery time
750ns
Technology
Polar™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].