Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W IXYS
Toote kood: IXTP2R4N120P
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 70 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IXTP2R4N120P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTP2R4N120P
Product ID
U-221702
Case
TO220AB
Drain current
2.4A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
standard power mosfet
Gate charge
37nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
On-state resistance
7.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
6A
Reverse recovery time
920ns
Technology
Polar™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
