LEMONA

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W IXYS

Toote kood: MMIX1F40N110P
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-2
120.98
3-9
106.89
10-19
95.99
20+
89.61
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

120.98
2024-08-29 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-08-29 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval20 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W IXYS

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-261735
Bränd
NomNr
MMIX1F40N110P

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
MMIX1F40N110P
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1F40N110P
Product ID
U-261735
Case
SMPD
Drain current
24A
Drain-source voltage
1.1kV
Gate charge
310nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
0.29Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
500W
Pulsed drain current
100A
Reverse recovery time
300ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].