Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Tootekood: P30W60HP2V-5100
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-12 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 30 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-1937094
NomNr
P30W60HP2V-5100
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
P30W60HP2V-5100
Supplier's product code
P30W60HP2V-5100
Product ID
U-1937094
Case
MTO3PV (TO247AD)
Drain current
30A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
70nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
0.23Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
310W
Pulsed drain current
120A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
