Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A SHINDENGEN
Tootekood: P6F50HP2-5600
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-19 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 168 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A SHINDENGEN
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-1937111
NomNr
P6F50HP2-5600
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
P6F50HP2-5600
Supplier's product code
P6F50HP2-5600
Product ID
U-1937111
Case
FTO-220AG (SC91)
Drain current
6A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
bulk
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
1.35Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
24A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
