Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A IXYS
Tootekood: MMIX1F360N15T2
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
MMIX1F360N15T2
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1F360N15T2
Product ID
U-261734
Case
SMPD
Drain current
235A
Drain-source voltage
150V
Gate charge
715nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
4.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
680W
Pulsed drain current
900A
Reverse recovery time
150ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
