Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W SHINDENGEN
Toote kood: P8B10SB-5071
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-18 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 1857 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W SHINDENGEN
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-2317111
NomNr
P8B10SB-5071
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Case
FB (TO252AA)
Drain current
8A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
16.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
SMD
On-state resistance
94mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
20W
Pulsed drain current
24A
Technology
EETMOS3
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
P8B10SB-5071
Supplier's product code
P8B10SB-5071
Product ID
U-2317111
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
