Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN30H4D0L-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Tarnija toote parameetrid
Product code
DMN30H4D0L-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN30H4D0L-7
Product ID
U-2876170
Case
SOT23
Drain current
0.2A
Drain-source voltage
300V
Gate charge
7.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.47W
Pulsed drain current
2A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
