Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN10H099SFG-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Tarnija toote parameetrid
Case
PowerDI3333-8
Drain current
4.5A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
25.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
99mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.18W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
DMN10H099SFG-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN10H099SFG-7
Product ID
U-2876057
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
