LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 BRIDGELUX

Toote kood: BXT1150N10J
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-9
0.25
10-24
0.22
25-99
0.17
100-249
0.15
250+
0.13
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

0.25
2024-07-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2024-07-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval3990 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 BRIDGELUX

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-2590559
Bränd
NomNr
BXT1150N10J

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
BXT1150N10J
Brand
BRIDGELUX
Supplier's product code
BXT1150N10J
Product ID
U-2590559
Case
SOT89-3
Drain current
5.6A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
21nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
BRIDGELUX
Mounting
SMD
On-state resistance
135mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
32A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].