Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN80H2D0SCTI
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB
Tarnija toote parameetrid
Product code
DMN80H2D0SCTI
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN80H2D0SCTI
Product ID
U-2467542
Case
ITO220AB
Drain current
4A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
35.4nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
16W
Pulsed drain current
28A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
