LEMONA

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; TO264 MICROCHIP (MICROSEMI)

Toote kood: APT33GF120LRDQ2G
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; TO264 MICROCHIP (MICROSEMI)

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-1869365
Bränd
NomNr
APT33GF120LRDQ2G

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; TO264

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
APT33GF120LRDQ2G
Case
TO264
Collector current
30A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
170nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
75A
Technology
NPT
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
355ns
Turn-on time
31ns
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT33GF120LRDQ2G
Product ID
U-1869365
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].