Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)
Toote kood: APT25GN120B2DQ2G
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
APT25GN120B2DQ2G
Product ID
U-1869271
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT25GN120B2DQ2G
Case
T-Max
Collector current
33A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
155nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
272W
Pulsed collector current
75A
Technology
Field Stop
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
560ns
Turn-on time
39ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
