LEMONA

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD IXYS

Toote kood: MMIX1X200N60B3
no gallery
no gallery
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Vabandame, meil ei ole enam seda kaupa.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Ei ole saadavalEi ole saadaval

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Bränd
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD IXYS

Kasulik informatsioon


Tehnilised andmed

Laokood
U-261747
Bränd
NomNr
MMIX1X200N60B3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD

Kasulik informatsioon

Tarnija toote parameetrid

Product code
MMIX1X200N60B3
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1X200N60B3
Product ID
U-261747
Case
SMPD
Collector current
120A
Collector-emitter voltage
600V
Gate charge
315nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
625W
Pulsed collector current
1kA
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
395ns
Turn-on time
140ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].