Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8 YANGJIE TECHNOLOGY
Tootekood: YJS12G06A-YAN
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8 YANGJIE TECHNOLOGY
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 7.5A; SOP8
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
YJS12G06A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJS12G06A-YAN
Product ID
U-222316
Case
SOP8
Drain current
7.5A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
13mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.24W
Pulsed drain current
48A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
