Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W YANGJIE TECHNOLOGY
Tootekood: YJQ35G10A-YAN
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W YANGJIE TECHNOLOGY
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Tarnija toote parameetrid
Product code
YJQ35G10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ35G10A-YAN
Product ID
U-1928821
#Promotion
aac_202202
Case
DFN3.3x3.3
Drain current
35A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
54W
Pulsed drain current
120A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
