Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK ONSEMI
Toote kood: FQD9N25TM-F080
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK ONSEMI
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Tarnija toote parameetrid
Product code
FQD9N25TM-F080
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQD9N25TM-F080
Product ID
U-2349547
Case
DPAK
Drain current
4.7A
Drain-source voltage
250V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
0.42Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
55W
Pulsed drain current
29.6A
Technology
QFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
