Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -1.3A; Idm: -5.2A; 1W ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: US6J11TR
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -1.3A; Idm: -5.2A; 1W
Параметры товара поставщика
Product code
US6J11TR
Case
TUMT6
Drain current
-1.3A
Drain-source voltage
-12V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
2.4nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
1.06Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Pulsed drain current
-5.2A
Type of transistor
P-MOSFET x2
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
US6J11TR
Product ID
U-2966506
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
