Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A VISHAY
Номер продукта: SI3459BDV-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 1344 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Параметры товара поставщика
Supplier's product code
SI3459BDV-T1-GE3
Product ID
U-3134444
Case
TSOP6
Drain current
-2.9A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
12nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
288mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.3W
Pulsed drain current
-8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Product code
SI3459BDV-T1-GE3
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
