Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8 VISHAY
Номер продукта: SI9407BDY-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI9407BDY-T1-E3
Case
SO8
Drain current
-4.7A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.2W
Pulsed drain current
-20A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI9407BDY-T1-E3
Product ID
U-3807690
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
