Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -1A; Idm: -6A; 340mW NEXPERIA
Номер продукта: NXV90EPR
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -1A; Idm: -6A; 340mW
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NXV90EPR
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NXV90EPR
Product ID
U-2961368
Case
SOT23
Drain current
-1A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
5.2nC
Gate-source voltage
±-20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.34W
Pulsed drain current
-6A
Technology
Trench
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
