Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.25W DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN66D0LDW-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.25W DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.25W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
DMN66D0LDW-7
Product ID
U-166382
Case
SOT363
Drain current
0.073A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.25W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN66D0LDW-7
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
