Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A NEXPERIA
Номер продукта: 2N7002PV.115
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A
Параметры товара поставщика
Supplier's product code
2N7002PV.115
Product ID
U-2588778
Case
SOT666
Drain current
0.25A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
0.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
1.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.5W
Pulsed drain current
1.2A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET x2
Product code
2N7002PV.115
Brand
NEXPERIA
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
