Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A VISHAY
Номер продукта: SISF06DN-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
Параметры товара поставщика
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
81A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
6.95mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
44.4W
Pulsed drain current
190A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
Product code
SISF06DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISF06DN-T1-GE3
Product ID
U-3046189
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
