Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 225A; Idm: 300A VISHAY
Номер продукта: SIJH112E-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 225A; Idm: 300A
Параметры товара поставщика
Product code
SIJH112E-T1-GE3
Case
PowerPAK® 8x8L
Drain current
225A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
160nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
333W
Pulsed drain current
300A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIJH112E-T1-GE3
Product ID
U-3116406
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
