Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB VISHAY
Номер продукта: SIHP100N60E-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Параметры товара поставщика
Product code
SIHP100N60E-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP100N60E-GE3
Product ID
U-3046040
Case
TO220AB
Drain current
19A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
50nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
73A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
