Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W VISHAY
Номер продукта: SIHD2N80E-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHD2N80E-GE3
Supplier's product code
SIHD2N80E-GE3
Product ID
U-3045841
Case
DPAK
Drain current
1.8A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
19.6nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.75Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
5A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
