💼 Kas soovite saada meie ärikliendiks? Saatke palun oma soov e-maili aadressile [email protected]
💼 Kas soovite saada meie ärikliendiks? [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP VISHAY

Номер продукта: IRFD123PBF
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3127250
Марка
NomNr
IRFD123PBF

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP

Параметры товара поставщика

Product code
IRFD123PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD123PBF
Product ID
U-3127250
Case
HVMDIP
Drain current
1.3A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
16nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.27Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
10A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].