Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPD65R250E6XTMA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Case
PG-TO252-3
Drain current
16.1A
Drain-source voltage
650V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.25Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Technology
CoolMOS™
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
IPD65R250E6XTMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD65R250E6XTMA1
Product ID
U-216874
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
