Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223 PanJit Semiconductor
Номер продукта: PJW4N06A-R2
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223 PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-4041953
NomNr
PJW4N06A-R2
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Параметры товара поставщика
Product code
PJW4N06A-R2
Supplier's product code
PJW4N06A-R2
Product ID
U-4041953
Case
SOT223
Drain current
4A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
5.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.1W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
