Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: BSC100N06LS3GATMA1
Сроки доставки
2024-10-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 6581 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
BSC100N06LS3GATMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
BSC100N06LS3GATMA1
Product ID
U-133027
#Promotion
aac_202202
Case
PG-TDSON-8
Drain current
36A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
10mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
50W
Pulsed drain current
200A
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
