Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 VISHAY
Номер продукта: SI2308BDS-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-12 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 3234 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI2308BDS-T1-GE3
#Promotion
aac_202202
Case
SOT23
Drain current
1.8A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
2.3nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
192mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.06W
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2308BDS-T1-GE3
Product ID
U-323650
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
