Head kliendid! 20.08 on kontor suletud. Head taasiseseisvumispäeva!
Head kliendid! 20.08 on kontor suletud. Head taasiseseisvumispäeva!

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8 ONSEMI

Номер продукта: FDS8896
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8 ONSEMI

Спецификации

Артикул
U-2721457
NomNr
FDS8896

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8

Параметры товара поставщика

Product code
FDS8896
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDS8896
Product ID
U-2721457
Case
SO8
Drain current
15A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
67nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Pulsed drain current
110A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].