Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 ONSEMI
Номер продукта: FDC2612
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-25 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 4900 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
FDC2612
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDC2612
Product ID
U-186836
Case
SuperSOT-6
Drain current
1.1A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
11nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
1.43Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
