Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPT020N10N3ATMA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IPT020N10N3ATMA1
Product ID
U-217237
Case
PG-HSOF-8
Drain current
212A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
156nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
2mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
1.2kA
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPT020N10N3ATMA1
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
