Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W BASiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: B2M035120YP
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W BASiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
B2M035120YP
Case
TO247PLUS-4
Drain current
60A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
115nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
190A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B2M035120YP
Product ID
U-3054955
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
