Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W STMicroelectronics
Номер продукта: SCT50N120
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-10-25 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 48 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SCT50N120
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SCT50N120
Product ID
U-320864
#Promotion
aac_202202
Case
HIP247™
Drain current
50A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
122nC
Gate-source voltage
-10...25V
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
70mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
318W
Pulsed drain current
130A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
