Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W BASiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: B1M080120HC
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 44 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W BASiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
B1M080120HC
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B1M080120HC
Product ID
U-2709775
Case
TO247-3
Drain current
27A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
149nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
241W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
