Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IMZ120R090M1HXKSA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IMZ120R090M1HXKSA1
Product ID
U-1876355
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZ120R090M1HXKSA1
Case
TO247-4
Drain current
18A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-7...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
0.17Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
58W
Pulsed drain current
50A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
