Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: RQ3E100BNTB
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8
Параметры товара поставщика
Product code
RQ3E100BNTB
Case
HSMT8
Drain current
21A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
15.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
15W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
RQ3E100BNTB
Product ID
U-2966233
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
