Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: R6004END3TL1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Параметры товара поставщика
Product code
R6004END3TL1
Case
TO252
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
1.36Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
59W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
R6004END3TL1
Product ID
U-2966104
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
