Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A STMicroelectronics
Номер продукта: STH30N65DM6-7AG
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
STH30N65DM6-7AG
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STH30N65DM6-7AG
Product ID
U-2595584
Application
automotive industry
Case
H2PAK7
Drain current
18A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
46nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.115Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
223W
Pulsed drain current
112A
Technology
MDmesh™ DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
