Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W STMicroelectronics
Номер продукта: STP35N60DM2
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
STP35N60DM2
Supplier's product code
STP35N60DM2
Product ID
U-340700
Case
TO220-3
Drain current
17A
Drain-source voltage
600V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
210W
Technology
MDmesh™ DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
