Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN2600UFB-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW
Параметры товара поставщика
Product code
DMN2600UFB-7
Product ID
U-2876123
Case
X1-DFN1006-3
Drain current
0.9A
Drain-source voltage
25V
Gate charge
0.85nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.54W
Pulsed drain current
3A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2600UFB-7
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
