Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMG9926USD-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
DMG9926USD-13
Product ID
U-2876051
Case
SO8
Drain current
6.7A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
8.8nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
37mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
30A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMG9926USD-13
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
